致力于第三代半导体衬底技术，同光晶体完成A轮融资

投资界（ID：pedaily2012）12月4日消息，河北同光晶体有限公司（简称“同光晶体”）完成A轮融资，本轮由国投创业投资，将助力公司实现涞源基地6英寸碳化硅衬底项目快速扩产和现有产品优化提升。

据了解，自2012年成立以来，同光晶体致力于第三代半导体碳化硅单晶衬底制备技术的自主研发与创新，已建成粉料合成、晶体生长、切割加工、晶体检测的完整产线，年产4-6英寸碳化硅衬底数万片，是国际上少数同时掌握高纯半绝缘衬底和导电型衬底制备技术的企业。

同光晶体将高品质碳化硅单晶衬底成功应用到我国5G基站建设中，打破了行业壁垒，加速实现国产替代。公司的4英寸高纯半绝缘型碳化硅衬底主要用于制造高端射频芯片，其各项技术指标均达到国际水平；在导电型衬底方面，同光晶体取得工程化关键技术突破，其6英寸产品满足电力电子器件的各方面技术要求，已具备批量生产条件，并在知名客户处形成应用。

国投创业方面表示：“伴随5G、电动汽车等行业的发展， 碳化硅行业相关企业将迎来快速成长机会。同光晶体在第三代半导体衬底领域拥有丰富的技术积累及人才储备，有助于加快国产化替代，具有良好的市场前景。国投创业从国家创新战略和科技成果转化逻辑出发，重点关注5G、新能源等新基建领域投资机遇，紧扣国家重大科技项目主线，坚持“自上而下、自难而易”布局上游企业， 并充分发挥资本纽带和产业聚合效应，持续优化产业链生态，助力我国第三代半导体行业进一步提升综合竞争力。”